SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210719772.5

申请日：

2022-06-23

公开(公告)号：

CN115248365B

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

张品佳张擎昊陆格野

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵静

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

变换器级IGBT结温监测方法、装置、电子设备及介质 [P].

张品佳 ;

张擎昊 ;

陆格野 .

中国专利 :CN115219868B ,2025-11-18

[2]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388B ,2024-05-28

[3]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388A ,2024-03-22

[4]

SiC MOSFET监测电路及监测方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111624458A ,2020-09-04

[5]

SiC MOSFET的结温测量方法 [P].

陈媛 ;

陈义强 ;

贺致远 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111707917A ,2020-09-25

[6]

IGBT模块结温监测方法及装置 [P].

田源 ;

杨鹏 ;

高树国 ;

罗茜 ;

朱瑞敏 .

中国专利 :CN120492829A ,2025-08-15

[7]

基于高频振荡抑制的SiC MOSFET结温监测驱动电路及监测方法 [P].

谭国俊 ;

张经纬 ;

邱巧龙 ;

杨军坤 .

中国专利 :CN119438845A ,2025-02-14

[8]

结温监测系统及结温监测方法 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

杨光 ;

刘瑞 ;

王靖飞 ;

代安琪 ;

杜玉杰 ;

张浩 .

中国专利 :CN119881582A ,2025-04-25

[9]

结温监测系统及结温监测方法 [P].

魏晓光 ;

唐新灵 ;

杨光 ;

刘瑞 ;

王靖飞 ;

代安琪 ;

杜玉杰 ;

张浩 .

中国专利 :CN119881582B ,2025-05-30

[10]

基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法 [P].

王智强 ;

豆加龙 ;

孔武斌 ;

时晓洁 .

中国专利 :CN119224516A ,2024-12-31

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