SiC MOSFET的结温测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010488605.5

申请日：

2020-06-02

公开(公告)号：

CN111707917A

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

陈媛陈义强贺致远侯波刘昌

申请人：

申请人地址：

511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	公开	公开
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200602

共 50 条

[1]

基于分数阶建模的SiC MOSFET结温测量方法和系统 [P].

王俊 ;

柯子鹏 ;

胡波 ;

彭子舜 ;

戴瑜兴 .

中国专利 :CN117761497B ,2024-05-24

[2]

基于分数阶建模的SiC MOSFET结温测量方法和系统 [P].

王俊 ;

柯子鹏 ;

胡波 ;

彭子舜 ;

戴瑜兴 .

中国专利 :CN117761497A ,2024-03-26

[3]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388B ,2024-05-28

[4]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388A ,2024-03-22

[5]

一种SIC MOSFET结温获取电路及方法 [P].

金浪 ;

孙玉 ;

唐德平 .

中国专利 :CN115015728B ,2025-11-04

[6]

一种SIC MOSFET结温获取电路及方法 [P].

金浪 ;

孙玉 ;

唐德平 .

中国专利 :CN115015728A ,2022-09-06

[7]

SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

石帮兵 ;

丁杰钦 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

焦莎莎 ;

罗烨辉 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112083305A ,2020-12-15

[8]

SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

石帮兵 ;

丁杰钦 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

焦莎莎 ;

罗烨辉 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112083305B ,2024-04-19

[9]

便于结温检测的功率半导体器件及其结温测量方法 [P].

田鸿昌 ;

张弦 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 .

中国专利 :CN112946450A ,2021-06-11

[10]

电机控制器的结温测量方法和结温测量系统 [P].

黄星 ;

熊燕飞 ;

郑思航 ;

王亮亮 .

中国专利 :CN117664340A ,2024-03-08

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