一种SIC MOSFET结温获取电路及方法

被引：0

申请号：

CN202210757223.7

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115015728A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

金浪孙玉唐德平

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市大龙山路8号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124

代理人：

丁瑞瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20220630

共 50 条

[1]

一种SIC MOSFET结温获取电路及方法 [P].

金浪 ;

孙玉 ;

唐德平 .

中国专利 :CN115015728B ,2025-11-04

[2]

SiC MOSFET的结温测量方法 [P].

陈媛 ;

陈义强 ;

贺致远 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111707917A ,2020-09-25

[3]

一种功率MOSFET结温测试装置 [P].

朱袁正 ;

刘震 ;

胡伟 ;

朱久桃 ;

钱迈华 .

中国专利 :CN222319076U ,2025-01-07

[4]

一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统 [P].

李青平 ;

郝一 ;

李卫国 ;

徐云飞 ;

卢娟娟 ;

卜宪德 .

中国专利 :CN114564906A ,2022-05-31

[5]

功率器件电压获取电路及方法、结温估算及过温保护方法 [P].

王异凡 ;

曾明全 ;

龚金龙 ;

王一帆 ;

骆丽 ;

孙明 ;

邵先军 ;

郑一鸣 ;

王威 ;

宋琦华 ;

张恬波 ;

罗皓泽 ;

陈晓刚 .

中国专利 :CN117471264A ,2024-01-30

[6]

一种SiC MOSFET驱动电路 [P].

赵凤俭 ;

单卫平 ;

赵清 ;

石小平 ;

赵海明 ;

张晨 ;

徐妙玲 ;

于学习 .

中国专利 :CN120528215A ,2025-08-22

[7]

一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法 [P].

罗皓泽 ;

吴强 ;

陈宏 ;

崔瑞杰 ;

康建龙 ;

严辉强 .

中国专利 :CN114325286A ,2022-04-12

[8]

一种SiC MOSFET串联驱动电路 [P].

王来利 ;

杨成子 ;

于龙洋 ;

朱梦宇 ;

马伟 ;

裴云庆 ;

杨旭 .

中国专利 :CN110224690B ,2019-09-10

[9]

一种SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

许建平 ;

岳豪 .

中国专利 :CN117674554B ,2024-09-17

[10]

一种SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

许建平 ;

岳豪 .

中国专利 :CN117674554A ,2024-03-08

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