一种SiC MOSFET振荡抑制电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311677555.5

申请日：

2023-12-07

公开(公告)号：

CN117674554A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

陈健宋文胜许建平岳豪

申请人：

西南交通大学

申请人地址：

610031 四川省成都市二环路北一段

IPC主分类号：

H02M1/00

IPC分类号：

H02M1/32 H02H9/04

代理机构：

重庆敏创专利代理事务所(普通合伙) 50253

代理人：

黄梅

法律状态：

公开

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	公开	公开
2024-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/00申请日:20231207
2024-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

许建平 ;

岳豪 .

中国专利 :CN117674554B ,2024-09-17

[2]

一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

王来利 ;

杨成子 ;

李华清 ;

于龙洋 ;

刘星烁 ;

朱梦宇 ;

裴云庆 .

中国专利 :CN112234810B ,2021-01-15

[3]

SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法 [P].

杨鑫 ;

刘岩超 .

中国专利 :CN118900021A ,2024-11-05

[4]

SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法 [P].

杨鑫 ;

刘岩超 .

中国专利 :CN118900021B ,2025-02-11

[5]

一种抑制SiC MOSFET负向串扰的电路 [P].

李明蔚 ;

龚春英 ;

何贵 .

中国专利 :CN114665695B ,2024-05-24

[6]

一种抑制SiC MOSFET负向串扰的电路 [P].

李明蔚 ;

龚春英 ;

何贵 .

中国专利 :CN114665695A ,2022-06-24

[7]

一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路 [P].

杨伟锋 ;

翁宏锦 ;

陈祖岗 ;

袁嘉利 ;

孙游成 ;

石紫亮 .

中国专利 :CN118399725A ,2024-07-26

[8]

一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路 [P].

王松 ;

杜俊毅 ;

王丽 ;

俞军涛 ;

李雪莲 ;

宋玉美 ;

王挺侹 .

中国专利 :CN112737312A ,2021-04-30

[9]

一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路 [P].

张雷 ;

吴典 ;

郭晓丽 ;

秦岭 ;

桑顺 ;

黄杰杰 ;

任磊 .

中国专利 :CN113315354A ,2021-08-27

[10]

一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法 [P].

彭英舟 ;

赵崇宇 ;

王泉洁 ;

曹一明 ;

王开春 ;

帅智康 .

中国专利 :CN118868578A ,2024-10-29

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