一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411321616.9

申请日：

2024-09-23

公开(公告)号：

CN118868578A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

彭英舟赵崇宇王泉洁曹一明王开春帅智康

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

IPC主分类号：

H02M1/088

IPC分类号：

H02M1/00 H02M1/38

代理机构：

长沙新裕知识产权代理有限公司 43210

代理人：

刘熙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖南省长沙市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/088申请日:20240923
2024-10-29	公开	公开
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法 [P].

彭英舟 ;

赵崇宇 ;

王泉洁 ;

曹一明 ;

王开春 ;

帅智康 .

中国专利 :CN118868578B ,2024-12-06

[2]

基于高速光耦的SiC-MOSFET有源串扰抑制电路 [P].

杨铎烔 ;

张子昊 ;

俞靖一 ;

马溪原 ;

赵伟 ;

葛俊 ;

王逸兴 ;

陈军健 ;

聂智杰 ;

蔡田田 ;

陶伟 .

中国专利 :CN119315819A ,2025-01-14

[3]

一种抑制SiC MOSFET桥式电路串扰的驱动电路 [P].

王松 ;

杜俊毅 ;

王丽 ;

俞军涛 ;

李雪莲 ;

宋玉美 ;

王挺侹 .

中国专利 :CN112737312A ,2021-04-30

[4]

一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路 [P].

杨伟锋 ;

翁宏锦 ;

陈祖岗 ;

袁嘉利 ;

孙游成 ;

石紫亮 .

中国专利 :CN118399725A ,2024-07-26

[5]

一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路 [P].

卞月娟 ;

黄志平 ;

黄辉 ;

张小辉 .

中国专利 :CN108233684A ,2018-06-29

[6]

一种抑制SiC MOSFET负向串扰的电路 [P].

李明蔚 ;

龚春英 ;

何贵 .

中国专利 :CN114665695B ,2024-05-24

[7]

一种抑制SiC MOSFET负向串扰的电路 [P].

李明蔚 ;

龚春英 ;

何贵 .

中国专利 :CN114665695A ,2022-06-24

[8]

一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路 [P].

李小强 ;

王文杰 ;

贺生鹏 ;

林铭恩 ;

伍小杰 ;

余超 ;

纪明理 ;

徐塑哲 ;

周子奇 ;

董云鹤 ;

何承原 .

中国专利 :CN110212740B ,2019-09-06

[9]

一种SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

许建平 ;

岳豪 .

中国专利 :CN117674554B ,2024-09-17

[10]

一种SiC MOSFET振荡抑制电路 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

许建平 ;

岳豪 .

中国专利 :CN117674554A ,2024-03-08

← 1 2 3 4 5 →