基于分数阶建模的SiC MOSFET结温测量方法和系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410194399.5

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN117761497B

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

王俊柯子鹏胡波彭子舜戴瑜兴

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区桔子洲街道麓山南路2号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326

代理人：

刘新年

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240222
2024-05-24	授权	授权
2024-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

基于分数阶建模的SiC MOSFET结温测量方法和系统 [P].

王俊 ;

柯子鹏 ;

胡波 ;

彭子舜 ;

戴瑜兴 .

中国专利 :CN117761497A ,2024-03-26

[2]

SiC MOSFET的结温测量方法 [P].

陈媛 ;

陈义强 ;

贺致远 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111707917A ,2020-09-25

[3]

一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质 [P].

王涛 ;

廖红伟 ;

何宜祥 ;

李康 ;

郭长春 ;

刘宾 .

中国专利 :CN113933676B ,2024-09-20

[4]

一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质 [P].

王涛 ;

廖红伟 ;

何宜祥 ;

李康 ;

郭长春 ;

刘宾 .

中国专利 :CN113933676A ,2022-01-14

[5]

电机控制器的结温测量方法和结温测量系统 [P].

黄星 ;

熊燕飞 ;

郑思航 ;

王亮亮 .

中国专利 :CN117664340A ,2024-03-08

[6]

SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

石帮兵 ;

丁杰钦 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

焦莎莎 ;

罗烨辉 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112083305A ,2020-12-15

[7]

SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

石帮兵 ;

丁杰钦 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

焦莎莎 ;

罗烨辉 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112083305B ,2024-04-19

[8]

水泥联合粉磨分数阶建模及分数阶PID控制方法及系统 [P].

张强 ;

闫帅帅 ;

袁铸钢 ;

王孝红 ;

孟庆金 ;

景绍洪 ;

于宏亮 ;

刘钊 ;

路士增 ;

孟梁 ;

马恒超 .

中国专利 :CN115616897A ,2023-01-17

[9]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388B ,2024-05-28

[10]

一种SiC MOSFET结温监测电路和方法 [P].

曹文平 ;

李泽堃 ;

谭琨 ;

孙路 ;

吉兵 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN117741388A ,2024-03-22

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