SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410903381.8

申请日：

2024-07-08

公开(公告)号：

CN118444122A

公开(公告)日：

2024-08-06

发明(设计)人：

谭琨谢海洋唐曦罗盟曹文平胡存刚

申请人：

安徽大学

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

上海和华启核知识产权代理有限公司 31339

代理人：

余昌昊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240708
2024-08-06	公开	公开
2024-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法 [P].

谭琨 ;

谢海洋 ;

唐曦 ;

罗盟 ;

曹文平 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN118444122B ,2024-09-17

[2]

基于栅氧层老化的SiC MOSFET寿命预测方法 [P].

刘琛 ;

辛振 ;

赖耀康 ;

曹玉峰 ;

王震 ;

康建龙 .

中国专利 :CN120012594A ,2025-05-16

[3]

一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

谢明航 ;

李凯伟 ;

欧阳文远 ;

罗全明 ;

杜雄 .

中国专利 :CN113933677A ,2022-01-14

[4]

一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

谢明航 ;

李凯伟 ;

欧阳文远 ;

罗全明 ;

杜雄 .

中国专利 :CN113933677B ,2024-04-19

[5]

SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 [P].

马凯 ;

李巍巍 ;

李盈 ;

谭令其 ;

于圣旭 ;

时晓洁 ;

王智强 ;

李歆蔚 ;

杨柳 ;

马燕君 .

中国专利 :CN117849565B ,2024-10-25

[6]

SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 [P].

马凯 ;

李巍巍 ;

李盈 ;

谭令其 ;

于圣旭 ;

时晓洁 ;

王智强 ;

李歆蔚 ;

杨柳 ;

马燕君 .

中国专利 :CN117849565A ,2024-04-09

[7]

功率MOSFET栅氧老化状态评估装置、方法及介质 [P].

魏伟伟 ;

林信南 .

中国专利 :CN120177982A ,2025-06-20

[8]

在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统 [P].

王大方 ;

王天洋 ;

杨国淏 ;

李琪 ;

王九霄 ;

胡钦杰 .

中国专利 :CN120405367A ,2025-08-01

[9]

一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

周兴豪 ;

刘青松 ;

李凯伟 ;

欧阳铭熙 ;

唐晨皓 .

中国专利 :CN119395498A ,2025-02-07

[10]

基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法 [P].

王智强 ;

豆加龙 ;

孔武斌 ;

时晓洁 .

中国专利 :CN119224516A ,2024-12-31

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