阈值电压稳定的电子辐照快恢复SJ-VDMOS制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910055731.9

申请日：

2019-01-21

公开(公告)号：

CN109742030A

公开(公告)日：

2019-05-10

发明(设计)人：

祝靖李阿江李少红孙伟锋陆生礼时龙兴

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-10	公开	公开
2019-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190121
2022-04-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20190510

共 50 条

[1]

一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法 [P].

何艳静 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

韩超 ;

宋庆文 ;

张玉明 .

中国专利 :CN112038394A ,2020-12-04

[2]

一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN110783203A ,2020-02-11

[3]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742A ,2022-02-01

[4]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742B ,2025-05-13

[5]

基于SiGe材料的SJ-VDMOS及其制备方法 [P].

曹震 ;

彭乔巍 ;

杨世卿 ;

郭磊 ;

侯彪 ;

焦李成 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN118486732A ,2024-08-13

[6]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[7]

零阈值电压NMOS的制备方法 [P].

单园园 ;

胡君 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN109166804A ,2019-01-08

[8]

具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法 [P].

王曦 ;

解勇涛 ;

李佳思 ;

孙佳威 ;

许建宁 ;

夏浩玮 .

中国专利 :CN114420758B ,2022-04-29

[9]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[10]

增进沟道阈值电压稳定性的方法 [P].

吴智华 ;

胡巍强 .

中国专利 :CN103594339B ,2014-02-19

← 1 2 3 4 5 →