基于SiGe材料的SJ-VDMOS及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410679734.0

申请日：

2024-05-29

公开(公告)号：

CN118486732A

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

曹震彭乔巍杨世卿郭磊侯彪焦李成杨银堂

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学杭州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/167 H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

田文英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240529
2024-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

阈值电压稳定的电子辐照快恢复SJ-VDMOS制备方法 [P].

祝靖 ;

李阿江 ;

李少红 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN109742030A ,2019-05-10

[2]

SiGe材料及其制备方法 [P].

左瑜 .

中国专利 :CN108010832A ,2018-05-08

[3]

SiGe材料CMOS器件及其制备方法 [P].

左瑜 .

中国专利 :CN107946181A ,2018-04-20

[4]

VDMOS制备方法及其器件 [P].

张西刚 .

中国专利 :CN117293036B ,2024-02-06

[5]

VDMOS器件及其制备方法 [P].

吴昊 ;

向凡 ;

张欢 ;

付晓君 ;

罗俊 .

中国专利 :CN115566063A ,2023-01-03

[6]

超结VDMOS的制备方法及其超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105489500A ,2016-04-13

[7]

沟槽栅VDMOS器件及其制备方法 [P].

方冬 ;

肖魁 .

中国专利 :CN113690299A ,2021-11-23

[8]

沟槽栅VDMOS器件及其制备方法 [P].

方冬 ;

肖魁 .

中国专利 :CN113690299B ,2024-02-09

[9]

一种VDMOS晶体管及其制备方法 [P].

郑学仁 .

中国专利 :CN103035732A ,2013-04-10

[10]

低电容的沟槽型VDMOS器件及其制备方法 [P].

夏亮 ;

完颜文娟 ;

杨科 .

中国专利 :CN110943132B ,2025-01-14

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