CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710365037.8

申请日：

2017-05-22

公开(公告)号：

CN107202946A

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

刘锦辉李静月王泉刘刚穆彦廷

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

韦全生;王品华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20170522
2017-09-26	公开	公开
2019-07-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法 [P].

刘刚 ;

李静月 ;

刘锦辉 ;

李苗蕊 ;

王泉 .

中国专利 :CN107229008B ,2017-10-03

[2]

MOS管阈值电压的测量方法 [P].

黄传伟 ;

谈益民 ;

胡盖 .

中国专利 :CN115047236A ,2022-09-13

[3]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[4]

阈值电压测量方法及系统 [P].

朱志炜 .

中国专利 :CN101825680B ,2010-09-08

[5]

MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法 [P].

洪杰 ;

何燕冬 ;

张钢刚 ;

张兴 .

中国专利 :CN102645569B ,2012-08-22

[6]

晶体管阈值电压调节方法及反相器制备方法 [P].

陆晓青 .

中国专利 :CN106783624A ,2017-05-31

[7]

MOS管阈值电压分布的测量系统及测量方法 [P].

叶立 ;

张宁 ;

王志利 .

中国专利 :CN105911339A ,2016-08-31

[8]

CMOS反相器 [P].

林爱梅 ;

吕瑞霖 ;

王鹢奇 .

中国专利 :CN104733458B ,2015-06-24

[9]

CMOS反相器 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110379808A ,2019-10-25

[10]

一种NMOS阈值电压测量方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103675398A ,2014-03-26

← 1 2 3 4 5 →