MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210083793.9

申请日：

2012-03-27

公开(公告)号：

CN102645569B

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

洪杰何燕冬张钢刚张兴

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G01R1900

IPC分类号：

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王莹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-22	公开	公开
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333914416 IPC(主分类):G01R 19/00 专利申请号:2012100837939 申请日:20120327
2015-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS管阈值电压的测量方法 [P].

黄传伟 ;

谈益民 ;

胡盖 .

中国专利 :CN115047236A ,2022-09-13

[2]

阈值电压退化测量电路 [P].

洪杰 ;

何燕冬 ;

张钢刚 ;

张兴 .

中国专利 :CN102636678B ,2012-08-15

[3]

阈值电压测量方法及系统 [P].

朱志炜 .

中国专利 :CN101825680B ,2010-09-08

[4]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[5]

CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法 [P].

刘锦辉 ;

李静月 ;

王泉 ;

刘刚 ;

穆彦廷 .

中国专利 :CN107202946A ,2017-09-26

[6]

MOS管阈值电压分布的测量系统及测量方法 [P].

叶立 ;

张宁 ;

王志利 .

中国专利 :CN105911339A ,2016-08-31

[7]

一种功率器件阈值电压漂移测量方法及系统 [P].

胡存刚 ;

唐曦 ;

徐以琛 ;

姜俊松 ;

谭琨 ;

曹文平 .

中国专利 :CN119224520A ,2024-12-31

[8]

一种NMOS阈值电压测量方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103675398A ,2014-03-26

[9]

一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P].

刘东 ;

卢山 .

中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23

[10]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

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