一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510665033.6

申请日：

2025-05-22

公开(公告)号：

CN120676663A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

黄义严宏宇高升陈伟中张红升

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/66 H10D64/60

代理机构：

成都行之专利代理有限公司 51220

代理人：

黄丹

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	公开	公开
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250522

共 50 条

[1]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[2]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[3]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[4]

一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

吴艳君 ;

张琳 ;

袁建成 .

中国专利 :CN118969824A ,2024-11-15

[5]

p-GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备 [P].

李祥东 ;

程智博 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119364800A ,2025-01-24

[6]

一种高耐压、增强型MIS结构P-GaN栅的垂直HEMT器件 [P].

尹以安 ;

邹炳志 ;

王进懿 .

中国专利 :CN220984533U ,2024-05-17

[7]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[8]

一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417432A ,2025-08-01

[9]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[10]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

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