一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510613217.8

申请日：

2025-05-13

公开(公告)号：

CN120417432A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

俞程郑崇芝陈万军王茁成孙瑞泽

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250513
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[2]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[3]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[4]

一种具有集成雪崩二极管结构的p-GaN HEMT器件 [P].

王茁成 ;

陈万军 ;

孙瑞泽 ;

陈资文 ;

俞程 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN117393562A ,2024-01-12

[5]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[6]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[7]

一种集成LFER和HEMT的梳状p-GaN栅半导体器件 [P].

蒋华杏 ;

黄昕昕 ;

杨文 ;

陈志坚 ;

李斌 .

中国专利 :CN120640722A ,2025-09-12

[8]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509B ,2025-03-21

[9]

一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法 [P].

周星宇 ;

李全春 ;

钟泽 ;

何开文 ;

陈波 .

中国专利 :CN120379293A ,2025-07-25

[10]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509A ,2024-12-17

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