一种集成LFER和HEMT的梳状p-GaN栅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510498051.X

申请日：

2025-04-21

公开(公告)号：

CN120640722A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

蒋华杏黄昕昕杨文陈志坚李斌

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/85

代理机构：

广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295

代理人：

冼俊鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250421
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417432A ,2025-08-01

[2]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[3]

一种p-GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法 [P].

任开琳 ;

杨翰林 ;

殷录桥 ;

张建华 .

中国专利 :CN117855258A ,2024-04-09

[4]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[5]

一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法 [P].

任青华 ;

刘宇熙 ;

刘鑫 ;

丁泽新 ;

张国明 ;

钱青楠 ;

周群辉 .

中国专利 :CN118841444A ,2024-10-25

[6]

一种基于物理引导神经网络的p-GaN栅HEMT建模方法 [P].

汪洁 ;

刘岑松 ;

王大威 ;

游淑珍 .

中国专利 :CN119476167A ,2025-02-18

[7]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[8]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[9]

一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113540233A ,2021-10-22

[10]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

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