一种基于物理引导神经网络的p-GaN栅HEMT建模方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411595711.8

申请日：

2024-11-11

公开(公告)号：

CN119476167A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

汪洁刘岑松王大威游淑珍

申请人：

杭州电子科技大学

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

G06F30/373

IPC分类号：

G06F30/27 G06N3/045 G06N3/08

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/373申请日:20241111
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于物理引导神经网络的GaN CAVET建模方法 [P].

吴闻博 ;

汪洁 ;

李晗宇 .

中国专利 :CN121031689A ,2025-11-28

[2]

一种集成LFER和HEMT的梳状p-GaN栅半导体器件 [P].

蒋华杏 ;

黄昕昕 ;

杨文 ;

陈志坚 ;

李斌 .

中国专利 :CN120640722A ,2025-09-12

[3]

p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法 [P].

李胜 ;

马岩锋 ;

何乃龙 ;

刘斯扬 ;

刘梦丽 ;

张森 ;

肖魁 ;

林峰 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN118798104A ,2024-10-18

[4]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[5]

p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法 [P].

李胜 ;

马岩锋 ;

何乃龙 ;

刘斯扬 ;

刘梦丽 ;

张森 ;

肖魁 ;

林峰 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN118798104B ,2025-02-14

[6]

一种p-GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法 [P].

任开琳 ;

杨翰林 ;

殷录桥 ;

张建华 .

中国专利 :CN117855258A ,2024-04-09

[7]

一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法 [P].

任青华 ;

刘宇熙 ;

刘鑫 ;

丁泽新 ;

张国明 ;

钱青楠 ;

周群辉 .

中国专利 :CN118841444A ,2024-10-25

[8]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[9]

p-GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备 [P].

李祥东 ;

程智博 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119364800A ,2025-01-24

[10]

一种Delta掺杂生长p-GaN栅型HEMT结构的方法 [P].

钱昊 ;

罗东向 ;

张梦龙 .

中国专利 :CN118366860A ,2024-07-19

← 1 2 3 4 5 →