一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410249511.0

申请日：

2024-03-05

公开(公告)号：

CN118173596A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

龚建彪陈兴冯倩张子涵黎伟正

申请人：

西安电子科技大学芜湖研究院西安电子科技大学

申请人地址：

241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L21/329 H01L29/423 H01L29/51 H01L29/06

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240305
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[2]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[3]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[4]

叠层栅介质p-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

戴祖匡 ;

谢子敬 .

中国专利 :CN120640724A ,2025-09-12

[5]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[6]

一种p-GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法 [P].

任开琳 ;

杨翰林 ;

殷录桥 ;

张建华 .

中国专利 :CN117855258A ,2024-04-09

[7]

一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

吴勇 ;

陆俊 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111564490B ,2020-08-21

[8]

一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法 [P].

周星宇 ;

李全春 ;

钟泽 ;

何开文 ;

陈波 .

中国专利 :CN120379293A ,2025-07-25

[9]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[10]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

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