叠层栅介质p-GaN增强型HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510532713.0

申请日：

2025-04-25

公开(公告)号：

CN120640724A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

王洪戴祖匡谢子敬

申请人：

中山市华南理工大学现代产业技术研究院华南理工大学

申请人地址：

528437 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/68 H10D62/10 H01L23/31

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	公开	公开
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250425

共 50 条

[1]

叠层栅介质层的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114883193A ,2022-08-09

[2]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[3]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[4]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[5]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[6]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[7]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[8]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[9]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[10]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

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