GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711278188.6

申请日：

2017-12-06

公开(公告)号：

CN109888008A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

赵杰付凯宋亮郝荣晖陈扶于国浩蔡勇张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹;王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20171206
2022-02-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190614
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[2]

降低栅极漏电的p-GaN栅增强型GaN-HEMT器件及其制作方法 [P].

施媛媛 ;

张敏 ;

倪志龙 ;

王彪 .

中国专利 :CN113363320A ,2021-09-07

[3]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[4]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[5]

基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件及其制作方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111029404A ,2020-04-17

[6]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[7]

一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

黄愉 ;

谢自力 ;

王勇 ;

潘巍巍 ;

陈敦军 .

中国专利 :CN111863948A ,2020-10-30

[8]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

[9]

一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

黄愉 ;

谢自力 ;

王勇 ;

潘巍巍 ;

陈敦军 .

中国专利 :CN111863948B ,2024-05-28

[10]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

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