一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010766289.3

申请日：

2020-08-03

公开(公告)号：

CN111863948A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

黄愉谢自力王勇潘巍巍陈敦军

申请人：

申请人地址：

210008 江苏省南京市经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1101室

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L2329 H01L2331 H01L29778 H01L21335 H01L2128 H01L2156

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	公开	公开
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20200803

共 50 条

[1]

一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

黄愉 ;

谢自力 ;

王勇 ;

潘巍巍 ;

陈敦军 .

中国专利 :CN111863948B ,2024-05-28

[2]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[3]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[4]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[5]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[6]

一种p-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

张子涵 ;

黎伟正 .

中国专利 :CN118173596A ,2024-06-11

[7]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

[8]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[9]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[10]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

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