MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210131045.3

申请日：

2012-04-29

公开(公告)号：

CN102646705A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

张进成张琳霞郝跃王冲马晓华党李莎鲁明周昊孟凡娜侯耀伟姜腾

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2904 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101710430878 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012101310453 申请公布日:20120822
2012-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333710477 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012101310453 申请日:20120429
2012-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

霍晶 ;

艾姗 ;

党李莎 ;

孟凡娜 ;

姜腾 ;

赵胜雷 .

中国专利 :CN102629624B ,2012-08-08

[2]

GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法 [P].

李培咸 ;

翟少鹏 ;

霍荡荡 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106887454A ,2017-06-23

[3]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

[4]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[5]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[6]

基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904111A ,2014-07-02

[7]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[8]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[9]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

[10]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

← 1 2 3 4 5 →