沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011384556.7

申请日：

2020-12-01

公开(公告)号：

CN112510088A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

付羿周名兵

申请人：

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L21335

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201201
2021-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[2]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[3]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[4]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[5]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[6]

GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

张有润 ;

刘程嗣 ;

刘影 ;

庞慧娇 ;

胡刚毅 ;

张波 .

中国专利 :CN107195670A ,2017-09-22

[7]

GaN基增强型HEMT器件的制备方法 [P].

周宇 ;

钟耀宗 ;

孙钱 ;

冯美鑫 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107768248A ,2018-03-06

[8]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[9]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[10]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108231880B ,2018-06-29

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