一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711404647.0

申请日：

2017-12-22

公开(公告)号：

CN108231880B

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

刘洪刚常虎东孙兵袁志鹏肖冬萍

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204（苏州闻颂）

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2906

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20171222
2018-06-29	公开	公开
2021-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108110054B ,2018-06-01

[2]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[3]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[4]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

[5]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

吴能滔 ;

邢志恒 ;

李善杰 ;

罗玲 .

中国专利 :CN114725186A ,2022-07-08

[6]

镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

万利军 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN109888013A ,2019-06-14

[7]

沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510088A ,2021-03-16

[8]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[9]

镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件 [P].

李国强 ;

万利军 ;

刘智崑 ;

陈丁波 ;

孙佩椰 ;

阙显沣 ;

姚书南 ;

李润泽 .

中国专利 :CN210092092U ,2020-02-18

[10]

一种增强型GaN HEMT器件制备方法及其结构 [P].

陈祖尧 .

中国专利 :CN116564812B ,2024-11-29

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