增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010489640.9

申请日：

2020-06-02

公开(公告)号：

CN111613668B

公开(公告)日：

2020-09-01

发明(设计)人：

孙慧卿夏凡夏晓宇谭秀洋马建铖张淼李渊

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29205 H01L29423 H01L2951 H01L21335

代理机构：

佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463

代理人：

耿鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200602
2023-01-03	授权	授权
2020-09-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

季亚军 ;

吴勇 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

黄永 ;

孙凯 ;

何滇 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN112713188B ,2021-04-27

[2]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891A ,2022-07-29

[3]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891B ,2025-12-05

[4]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[5]

Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158947A ,2016-11-23

[6]

具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

李渊 ;

谭秀洋 ;

张淼 ;

夏晓宇 ;

马建铖 ;

郭志友 ;

王鹏霖 ;

黄志辉 ;

丁霄 .

中国专利 :CN112635545B ,2021-04-09

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

[8]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[9]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[10]

一种增强型槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815865A ,2025-04-11

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