一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210232493.6

申请日：

2022-03-09

公开(公告)号：

CN114823891A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

李祥东袁嘉惠王萌张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

510555 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156 H01L21335

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220309
2022-09-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20220914 变更事项:申请人变更前权利人:西安电子科技大学广州研究院变更后权利人:西安电子科技大学变更事项:地址变更前权利人:510555 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋变更后权利人:710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学变更事项:申请人变更后权利人:西安电子科技大学广州研究院

共 50 条

[1]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891B ,2025-12-05

[2]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[3]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[4]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[5]

一种增强型槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815865A ,2025-04-11

[6]

一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

季亚军 ;

吴勇 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

黄永 ;

孙凯 ;

何滇 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN112713188B ,2021-04-27

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[8]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[9]

一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114725214A ,2022-07-08

[10]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

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