一种增强型槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411781595.9

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN119815865A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

李祥东翟丽荔游淑珍张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/27 H10D64/68 H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王丹

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241205

共 50 条

[1]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[2]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[3]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[4]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891A ,2022-07-29

[5]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891B ,2025-12-05

[6]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[7]

一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

季亚军 ;

吴勇 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

黄永 ;

孙凯 ;

何滇 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN112713188B ,2021-04-27

[8]

Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158947A ,2016-11-23

[9]

一种C:GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

李秋爽 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815864A ,2025-04-11

[10]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

唐振凌 ;

马晓华 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668304A ,2020-09-15

← 1 2 3 4 5 →