一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010402538.0

申请日：

2020-05-13

公开(公告)号：

CN111668304A

公开(公告)日：

2020-09-15

发明(设计)人：

郑雪峰唐振凌马晓华马佩军郝跃

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2966 H01L2906 H01L2920

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

李园园

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200513
2020-09-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

马晓华 ;

唐振凌 ;

王小虎 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668305A ,2020-09-15

[2]

一种高线性HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

唐振凌 ;

马晓华 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668303A ,2020-09-15

[3]

一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110556423A ,2019-12-10

[4]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[5]

双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

王昱博 ;

袁晨杰 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114284355A ,2022-04-05

[6]

一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333B ,2024-10-01

[7]

双栅极氮化镓MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张元雷 ;

蔡宇韬 ;

梁烨 ;

刘雯 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN112802893A ,2021-05-14

[8]

一种增强型槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815865A ,2025-04-11

[9]

一种新型MIS-HEMT器件结构 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN209766428U ,2019-12-10

[10]

一种双层钝化耗尽型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王峻博 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114937597A ,2022-08-23

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