实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710219041.3

申请日：

2017-04-05

公开(公告)号：

CN108695383B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	授权	授权
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20170405
2018-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695156B ,2018-10-23

[2]

金刚石MIS-HEMT器件及其制造方法 [P].

彭祖军 ;

黄雪润 ;

庞体强 ;

杨家乐 ;

潘鹏 ;

何申伟 ;

李珂 .

中国专利 :CN119630011A ,2025-03-14

[3]

一种氮化镓MIS-HEMT器件结构 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

杜高云 ;

郑宝玉 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119486188A ,2025-02-18

[4]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[5]

MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置 [P].

林信南 ;

熊树豪 .

中国专利 :CN112955760B ,2021-06-11

[6]

一种新型MIS-HEMT器件结构 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN209766428U ,2019-12-10

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[8]

具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件 [P].

罗谦 ;

范镇 ;

姜玄青 .

中国专利 :CN113394284A ,2021-09-14

[9]

Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158947A ,2016-11-23

[10]

基于GaN MIS-HEMT的金属间介电层平整方法以及使用其的GaN MIS-HEMT [P].

廖仕晃 ;

陈旷举 ;

黄尧峯 ;

林弘骥 .

中国专利 :CN120356826A ,2025-07-22

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