一种新型MIS-HEMT器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921696373.1

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN209766428U

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

李迈克

申请人：

申请人地址：

401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2128 H01L21335

代理机构：

重庆信航知识产权代理有限公司 50218

代理人：

穆祥维

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	授权	授权
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20191225 变更事项:专利权人变更前权利人:中证博芯（重庆）半导体有限公司变更后权利人:中合博芯(重庆)半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号变更后权利人:401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号

共 50 条

[1]

一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110556423A ,2019-12-10

[2]

一种氮化镓MIS-HEMT器件结构 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

杜高云 ;

郑宝玉 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119486188A ,2025-02-18

[3]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[4]

一种具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN214378453U ,2021-10-08

[5]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

唐振凌 ;

马晓华 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668304A ,2020-09-15

[6]

一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

郑雪峰 ;

马晓华 ;

唐振凌 ;

王小虎 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111668305A ,2020-09-15

[7]

具有复合层结构的高压MIS-HEMT器件 [P].

罗谦 ;

范镇 ;

姜玄青 .

中国专利 :CN113394284A ,2021-09-14

[8]

金刚石MIS-HEMT器件及其制造方法 [P].

彭祖军 ;

黄雪润 ;

庞体强 ;

杨家乐 ;

潘鹏 ;

何申伟 ;

李珂 .

中国专利 :CN119630011A ,2025-03-14

[9]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[10]

一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333B ,2024-10-01

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