一种新型MIS-HEMT器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921696373.1

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN209766428U

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

李迈克

申请人：

申请人地址：

401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2128 H01L21335

代理机构：

重庆信航知识产权代理有限公司 50218

代理人：

穆祥维

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	授权	授权
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20191225 变更事项:专利权人变更前权利人:中证博芯（重庆）半导体有限公司变更后权利人:中合博芯(重庆)半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号变更后权利人:401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号

共 50 条

[21]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[22]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

[23]

MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置 [P].

林信南 ;

熊树豪 .

中国专利 :CN112955760B ,2021-06-11

[24]

双栅极氮化镓MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张元雷 ;

蔡宇韬 ;

梁烨 ;

刘雯 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN112802893A ,2021-05-14

[25]

一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法 [P].

崔鹏 ;

代嘉铖 ;

崔潆心 ;

钟宇 ;

李汉和 ;

徐明升 ;

李树强 ;

韩吉胜 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN116387158B ,2024-02-02

[26]

一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118763105A ,2024-10-11

[27]

一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118763105B ,2024-11-26

[28]

具有NiO<sub>X</sub>保护层的MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

周泉斌 ;

廖碧艳 .

中国专利 :CN110571267B ,2024-09-27

[29]

一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法 [P].

吴燕庆 ;

詹丹 ;

李学飞 .

中国专利 :CN111933708A ,2020-11-13

[30]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

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