一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310437073.6

申请日：

2023-04-18

公开(公告)号：

CN116387158B

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

崔鹏代嘉铖崔潆心钟宇李汉和徐明升李树强韩吉胜徐现刚

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/207 H01L21/324

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

张宏松

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584A ,2020-01-21

[2]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584B ,2024-03-26

[3]

AlGaN/GaN MIS-HEMT的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230709A ,2017-10-03

[4]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[5]

一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118763105A ,2024-10-11

[6]

一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118763105B ,2024-11-26

[7]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN110581170A ,2019-12-17

[8]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[9]

基于GaN MIS-HEMT的金属间介电层平整方法以及使用其的GaN MIS-HEMT [P].

廖仕晃 ;

陈旷举 ;

黄尧峯 ;

林弘骥 .

中国专利 :CN120356826A ,2025-07-22

[10]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

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