一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411239956.7

申请日：

2024-09-05

公开(公告)号：

CN118763105B

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

王刚李成兵

申请人：

深圳市港祥辉电子有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋1301

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/28 H01L21/335

代理机构：

深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙) 44581

代理人：

赫巧莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240905
2024-11-26	授权	授权
2024-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118763105A ,2024-10-11

[2]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[3]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584A ,2020-01-21

[4]

基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李迈克 .

中国专利 :CN110718584B ,2024-03-26

[5]

一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

季亚军 ;

吴勇 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

黄永 ;

孙凯 ;

何滇 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN112713188B ,2021-04-27

[6]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891A ,2022-07-29

[7]

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114823891B ,2025-12-05

[8]

纵向GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119521708A ,2025-02-25

[9]

一种p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

谢雨峰 ;

龚建彪 ;

陈兴 ;

冯倩 ;

毕荣锋 ;

万瑾锡 ;

陆俊 ;

操焰 ;

沈琪 .

中国专利 :CN118263307A ,2024-06-28

[10]

一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

袁嘉惠 ;

王萌 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114725214A ,2022-07-08

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