一种新型MIS-HEMT器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921696373.1

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN209766428U

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

李迈克

申请人：

申请人地址：

401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2128 H01L21335

代理机构：

重庆信航知识产权代理有限公司 50218

代理人：

穆祥维

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	授权	授权
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20191225 变更事项:专利权人变更前权利人:中证博芯（重庆）半导体有限公司变更后权利人:中合博芯(重庆)半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号变更后权利人:401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号

共 50 条

[41]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103A ,2022-07-22

[42]

基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

王萌 ;

袁嘉惠 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114784103B ,2025-09-09

[43]

一种高κ/p-GaN异质结MIS-HEMT [P].

郑理 ;

尤天刚 .

中国专利 :CN217468440U ,2022-09-20

[44]

一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333A ,2021-12-03

[45]

一种AlGaO/GaO异质结MIS-HEMT高性能热电器件的制备方法 [P].

邵振广 ;

乔光 ;

邵梦婷 ;

杨浩童 ;

王雨顺 ;

洪学鹍 ;

杨希峰 ;

刘玉申 .

中国专利 :CN118870951A ,2024-10-29

[46]

基于GaN MIS-HEMT的金属间介电层平整方法以及使用其的GaN MIS-HEMT [P].

廖仕晃 ;

陈旷举 ;

黄尧峯 ;

林弘骥 .

中国专利 :CN120356826A ,2025-07-22

[47]

基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

程亮 ;

陆海 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周东 .

中国专利 :CN111564487B ,2020-08-21

[48]

一种GaN MIS沟道HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN207068860U ,2018-03-02

[49]

一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用 [P].

张斌 ;

王金延 ;

李梦军 ;

陶倩倩 ;

王鑫 ;

汪晨 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN114843225A ,2022-08-02

[50]

一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用 [P].

张斌 ;

王金延 ;

李梦军 ;

陶倩倩 ;

王鑫 ;

汪晨 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN114843225B ,2024-05-17

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