学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用

被引：0
申请号：
CN202110141718.2
申请日：
2021-02-02
公开(公告)号：
CN114843225A
公开(公告)日：
2022-08-02
发明(设计)人：
张斌 王金延 李梦军 陶倩倩 王鑫 汪晨 吴文刚
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号：
H01L218252
IPC分类号：
H01L2128 H01L29423 H01L2947 H01L29417 H01L29778 H01L29872 H01L2706
代理机构：
北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360
代理人：
贾晓玲
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8252 申请日:20210202
2022-08-02 公开 公开
共 50 条
[1]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843225B ,2024-05-17
[2]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843226B ,2024-05-17
[3]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843226A ,2022-08-02
[4]
一种GaN肖特基二极管的制备方法及GaN肖特基二极管 [P]. 
刘新科 ;
邹苹 ;
李博 ;
林峰 ;
吴钧烨 ;
黎晓华 ;
贺威 ;
黄双武 .
中国专利 :CN114864398A ,2022-08-05
[5]
用于 HEMT 的集成肖特基二极管 [P]. 
格哈德·普雷希特尔 ;
奥利弗·黑贝伦 ;
克莱门斯·奥斯特迈尔 .
中国专利 :CN103337499B ,2013-10-02
[6]
一种集成续流二极管的GaN HEMT器件 [P]. 
罗小蓉 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 .
中国专利 :CN113690311A ,2021-11-23
[7]
集成肖特基二极管的SiCJFET器件 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN206672934U ,2017-11-24
[8]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27
[9]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27
[10]
肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管 [P]. 
李理 ;
赵圣哲 ;
马万里 ;
姜春亮 .
中国专利 :CN107546124A ,2018-01-05
12345