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一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用

被引：0
申请号：
CN202110146397.5
申请日：
2021-02-02
公开(公告)号：
CN114843226A
公开(公告)日：
2022-08-02
发明(设计)人：
张斌 王金延 李梦军 陶倩倩 王鑫 汪晨 吴文刚
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号：
H01L218252
IPC分类号：
H01L2128 H01L29417 H01L29423 H01L29778 H01L29861 H01L2706
代理机构：
北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360
代理人：
贾晓玲
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-02 公开 公开
2022-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8252 申请日:20210202
共 50 条
[1]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843226B ,2024-05-17
[2]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843225A ,2022-08-02
[3]
一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用 [P]. 
张斌 ;
王金延 ;
李梦军 ;
陶倩倩 ;
王鑫 ;
汪晨 ;
吴文刚 .
中国专利 :CN114843225B ,2024-05-17
[4]
混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管 [P]. 
刘宁炀 ;
陈志涛 ;
刘晓燕 ;
赵维 ;
贺龙飞 ;
王君君 .
中国专利 :CN205911315U ,2017-01-25
[5]
一种集成续流二极管的GaN HEMT器件 [P]. 
罗小蓉 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 .
中国专利 :CN113690311A ,2021-11-23
[6]
一种集成PIN二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法 [P]. 
梁帅 ;
张阳 ;
许明伟 ;
樊晓兵 .
中国专利 :CN121174593A ,2025-12-19
[7]
一种集成JBS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法 [P]. 
梁帅 ;
张阳 ;
许明伟 ;
樊晓兵 .
中国专利 :CN121174594A ,2025-12-19
[8]
一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法 [P]. 
梁帅 ;
张阳 ;
许明伟 ;
樊晓兵 .
中国专利 :CN121152293A ,2025-12-16
[9]
一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管 [P]. 
陈万军 ;
李茂林 ;
施宜军 ;
崔兴涛 ;
信亚杰 ;
李佳 ;
刘超 ;
周琦 ;
张波 .
中国专利 :CN108831932B ,2018-11-16
[10]
一种混合阳极二极管引脚的自动切割设备 [P]. 
陈志耀 .
中国专利 :CN114939624A ,2022-08-26
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