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肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710049200.X
申请日
:
2017-01-20
公开(公告)号
:
CN108336150B
公开(公告)日
:
2018-07-27
发明(设计)人
:
赵宇丹
肖小阳
王营城
金元浩
张天夫
李群庆
申请人
:
申请人地址
:
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
IPC主分类号
:
H01L29872
IPC分类号
:
H01L2712
H01L21329
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-08-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20170120
2020-09-29
授权
授权
2018-07-27
公开
公开
共 50 条
[1]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法
[P].
赵宇丹
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赵宇丹
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肖小阳
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肖小阳
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王营城
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王营城
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金元浩
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金元浩
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张天夫
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张天夫
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李群庆
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李群庆
.
中国专利
:CN108336151A
,2018-07-27
[2]
肖特基二极管及肖特基二极管阵列
[P].
赵宇丹
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赵宇丹
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肖小阳
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肖小阳
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王营城
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王营城
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金元浩
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金元浩
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张天夫
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张天夫
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李群庆
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李群庆
.
中国专利
:CN108336090A
,2018-07-27
[3]
肖特基二极管及肖特基二极管阵列
[P].
赵宇丹
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赵宇丹
;
肖小阳
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肖小阳
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王营城
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王营城
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金元浩
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金元浩
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张天夫
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张天夫
;
李群庆
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李群庆
.
中国专利
:CN108336149B
,2018-07-27
[4]
肖特基二极管
[P].
J·迪特尔
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J·迪特尔
;
H·塔迪肯
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H·塔迪肯
.
中国专利
:CN100409458C
,2005-07-13
[5]
肖特基二极管
[P].
J.P.亨宁
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J.P.亨宁
;
Q.张
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Q.张
;
S-H.刘
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S-H.刘
;
A.K.阿加瓦尔
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A.K.阿加瓦尔
;
J.W.帕尔摩尔
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J.W.帕尔摩尔
;
S.艾伦
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S.艾伦
.
中国专利
:CN103782393B
,2014-05-07
[6]
肖特基二极管
[P].
洪崇祐
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洪崇祐
;
胡智闵
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胡智闵
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陈永初
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陈永初
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龚正
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龚正
.
中国专利
:CN102347373B
,2012-02-08
[7]
肖特基二极管
[P].
马诺耶·梅赫罗特拉
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马诺耶·梅赫罗特拉
.
中国专利
:CN112635319A
,2021-04-09
[8]
肖特基二极管
[P].
李万
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
李万
;
黄维
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湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
黄维
;
童薇
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湖南三安半导体有限责任公司
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童薇
;
曹浪波
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湖南三安半导体有限责任公司
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曹浪波
;
彭志高
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
彭志高
.
中国专利
:CN223286133U
,2025-08-29
[9]
肖特基二极管
[P].
费拉·阿珂哈利尔
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费拉·阿珂哈利尔
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理查德·普赖斯
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理查德·普赖斯
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布莱恩·科布
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布莱恩·科布
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中国专利
:CN111699561A
,2020-09-22
[10]
肖特基二极管
[P].
倪炜江
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倪炜江
.
中国专利
:CN203351612U
,2013-12-18
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