肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710051536.X
申请日
2017-01-20
公开(公告)号
CN108336151A
公开(公告)日
2018-07-27
发明(设计)人
赵宇丹 肖小阳 王营城 金元浩 张天夫 李群庆
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L21822 H01L21329
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27
[2]
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27
[3]
肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P]. 
赵宇丹 ;
肖小阳 ;
王营城 ;
金元浩 ;
张天夫 ;
李群庆 .
中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27
[4]
肖特基二极管 [P]. 
J·迪特尔 ;
H·塔迪肯 .
中国专利 :CN100409458C ,2005-07-13
[5]
肖特基二极管 [P]. 
J.P.亨宁 ;
Q.张 ;
S-H.刘 ;
A.K.阿加瓦尔 ;
J.W.帕尔摩尔 ;
S.艾伦 .
中国专利 :CN103782393B ,2014-05-07
[6]
肖特基二极管 [P]. 
洪崇祐 ;
胡智闵 ;
陈永初 ;
龚正 .
中国专利 :CN102347373B ,2012-02-08
[7]
肖特基二极管 [P]. 
马诺耶·梅赫罗特拉 .
中国专利 :CN112635319A ,2021-04-09
[8]
肖特基二极管 [P]. 
李万 ;
黄维 ;
童薇 ;
曹浪波 ;
彭志高 .
中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29
[9]
肖特基二极管 [P]. 
费拉·阿珂哈利尔 ;
理查德·普赖斯 ;
布莱恩·科布 .
中国专利 :CN111699561A ,2020-09-22
[10]
肖特基二极管 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN203351612U ,2013-12-18