集成肖特基二极管的SiCJFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720062943.6

申请日：

2017-01-19

公开(公告)号：

CN206672934U

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

倪炜江

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L2707

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978 H01L29808 H01L218232

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

张宇锋

法律状态：

专利权的保全及其解除

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-07	专利权的保全及其解除	专利权的保全 IPC(主分类):H01L 27/07 申请日:20170119 授权公告日:20171124 登记生效日:20180814
2020-09-15	专利权的保全及其解除	专利权保全的解除 IPC(主分类):H01L 27/07 申请日:20170119 授权公告日:20171124 解除日:20200810
2017-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

集成肖特基二极管的SiCJFET器件及其制作方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN106783851A ,2017-05-31

[2]

集成有肖特基二极管的功率器件 [P].

唐纳徳·迪斯尼 .

中国专利 :CN202712186U ,2013-01-30

[3]

与半导体器件集成的肖特基二极管 [P].

A·金德伦-汉森 ;

D·G·斯德鲁拉 ;

L·L·塞派希 ;

高田哲也 ;

让原逸男 ;

米山知宏 ;

细山田佑 .

美国专利 :CN118251768A ,2024-06-25

[4]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213184303U ,2021-05-11

[5]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213242560U ,2021-05-18

[6]

肖特基二极管 [P].

李万 ;

黄维 ;

童薇 ;

曹浪波 ;

彭志高 .

中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29

[7]

肖特基二极管 [P].

A·伊万 ;

D·阿尔奎尔 ;

Y·科尔迪耶 .

中国专利 :CN204516775U ,2015-07-29

[8]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[9]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[10]

ZnO肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

李蓓 ;

黄靖云 ;

张海燕 .

中国专利 :CN2570985Y ,2003-09-03

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