肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711269321.1

申请日：

2017-12-05

公开(公告)号：

CN109873039B

公开(公告)日：

2019-06-11

发明(设计)人：

罗泽煌

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20171205
2019-06-11	公开	公开
2021-01-08	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[2]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[3]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[4]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[5]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[6]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[7]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252B ,2025-09-19

[8]

肖特基二极管 [P].

J·迪特尔 ;

H·塔迪肯 .

中国专利 :CN100409458C ,2005-07-13

[9]

肖特基二极管 [P].

J.P.亨宁 ;

Q.张 ;

S-H.刘 ;

A.K.阿加瓦尔 ;

J.W.帕尔摩尔 ;

S.艾伦 .

中国专利 :CN103782393B ,2014-05-07

[10]

肖特基二极管 [P].

洪崇祐 ;

胡智闵 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN102347373B ,2012-02-08

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