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肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310715648.6
申请日：
2023-06-15
公开(公告)号：
CN119153490A
公开(公告)日：
2024-12-17
发明(设计)人：
宋亮
安丽琪
李永顺
陈新倩
刘新新
罗琳
申请人：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/872
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
虞凌霄
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
河北省
保定市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-01-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20230615 |
| 2024-12-17 | 公开 | 公开 |