肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210307568.2

申请日：

2022-03-25

公开(公告)号：

CN114709252B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

王国峰李京兵石晓宇

申请人：

青岛惠科微电子有限公司青岛惠芯微电子有限公司北海惠科半导体科技有限公司

申请人地址：

266227 山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D8/60 H10D8/01

代理机构：

北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662

代理人：

刘敏

法律状态：

授权

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[2]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[3]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[4]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[5]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[6]

沟槽式肖特基二极管及沟槽式肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114639719A ,2022-06-17

[7]

肖特基二极管 [P].

陆阳 ;

韩广涛 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30

[8]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[9]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[10]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

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