与半导体器件集成的肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280075813.X

申请日：

2022-09-09

公开(公告)号：

CN118251768A

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

A·金德伦-汉森 D·G·斯德鲁拉 L·L·塞派希高田哲也让原逸男米山知宏细山田佑

申请人：

模拟电力转换有限责任公司株式会社京三制作所

申请人地址：

美国俄勒冈州

IPC主分类号：

H01L27/07

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/872

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨贝贝;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	公开	公开
2024-10-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 27/07变更事项:发明人变更前:A·金德伦-汉森 D·G·斯德鲁拉 L·L·塞派希高田哲也让原逸男米山知宏细山田佑变更后:A·金德伦-汉森 D·G·斯德鲁拉 L·L·塞派希高田哲也让原逸男米山知宏细山田悠
2024-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/07申请日:20220909

共 50 条

[1]

高电压半导体器件中的集成肖特基二极管 [P].

管灵鹏 ;

安荷·叭剌 ;

马督儿·博德 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN102005452A ,2011-04-06

[2]

半导体器件及肖特基二极管 [P].

李聪 ;

王勇 ;

李秉隆 ;

张文平 .

中国专利 :CN221379345U ,2024-07-19

[3]

金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法 [P].

林伟捷 ;

林礼政 ;

徐信佑 ;

陈和泰 ;

叶人豪 ;

杨国良 ;

陈佳慧 ;

洪世杰 .

中国专利 :CN102339827A ,2012-02-01

[4]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

中国专利 :CN111223857A ,2020-06-02

[5]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

:CN111223857B ,2025-02-07

[6]

半导体器件结构、肖特基二极管 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 ;

陈朋 ;

马艳红 .

中国专利 :CN212084944U ,2020-12-04

[7]

衬底上场效应晶体管与肖特基二极管的集成 [P].

皮耶·德尔米 .

美国专利 :CN120130135A ,2025-06-10

[8]

具有肖特基二极管的半导体器件 [P].

张永杰 ;

陈伟钿 ;

周永昌 ;

李浩南 ;

孙倩 .

中国专利 :CN212113722U ,2020-12-08

[9]

集成肖特基二极管的SiCJFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN206672934U ,2017-11-24

[10]

具有集成源极-漏极二极管的晶体管 [P].

A·巴拉 ;

L·弗尔森 .

美国专利 :CN118280987A ,2024-07-02

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