集成有肖特基二极管的功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220319049.X

申请日：

2012-07-04

公开(公告)号：

CN202712186U

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

唐纳徳·迪斯尼

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区科新路8号成都芯源系统有限公司

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120704 授权公告日:20130130 终止日期:20180704
2013-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

集成有肖特基二极管的功率器件及其制造方法 [P].

唐纳德·迪斯尼 .

中国专利 :CN102751277A ,2012-10-24

[2]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[3]

集成肖特基二极管的SiCJFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN206672934U ,2017-11-24

[4]

肖特基二极管 [P].

陆阳 ;

韩广涛 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30

[5]

集成肖特基二极管的功率器件及其制造方法 [P].

温正欣 ;

张振中 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

郑泽东 .

中国专利 :CN112164654B ,2021-01-01

[6]

整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件 [P].

陈宏 ;

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 .

中国专利 :CN216311779U ,2022-04-15

[7]

与半导体器件集成的肖特基二极管 [P].

A·金德伦-汉森 ;

D·G·斯德鲁拉 ;

L·L·塞派希 ;

高田哲也 ;

让原逸男 ;

米山知宏 ;

细山田佑 .

美国专利 :CN118251768A ,2024-06-25

[8]

新型肖特基二极管 [P].

韩广涛 ;

陆阳 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205723554U ,2016-11-23

[9]

高压肖特基二极管 [P].

龚利汀 ;

刘宁 .

中国专利 :CN209216985U ,2019-08-06

[10]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213242560U ,2021-05-18

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