集成有肖特基二极管的功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220319049.X

申请日：

2012-07-04

公开(公告)号：

CN202712186U

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

唐纳徳·迪斯尼

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区科新路8号成都芯源系统有限公司

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120704 授权公告日:20130130 终止日期:20180704
2013-01-30	授权	授权

共 50 条

[41]

肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112201697A ,2021-01-08

[42]

肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管 [P].

赵圣哲 ;

李理 ;

马万里 .

中国专利 :CN106298508A ,2017-01-04

[43]

肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件 [P].

冉军学 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN110071177A ,2019-07-30

[44]

肖特基二极管的制备方法 [P].

邢东 ;

冯志红 ;

赵向阳 ;

王元刚 .

中国专利 :CN108899277B ,2024-06-21

[45]

带缓冲的肖特基二极管 [P].

洪旭峰 ;

王锰 .

中国专利 :CN205231073U ,2016-05-11

[46]

在功率MOSFET内集成肖特基二极管 [P].

苏毅 ;

伍时谦 ;

安荷·叭剌 ;

常虹 ;

金钟五 ;

陈军 .

中国专利 :CN102768994B ,2012-11-07

[47]

肖特基二极管用散热结构及肖特基二极管 [P].

张建森 ;

董起辉 ;

翟鑫康 ;

王思雨 .

中国专利 :CN223743653U ,2025-12-30

[48]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[49]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[50]

肖特基二极管结构 [P].

李永忠 ;

潘宗铭 .

中国专利 :CN202307900U ,2012-07-04

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