在功率MOSFET内集成肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210138850.9

申请日：

2012-04-23

公开(公告)号：

CN102768994B

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

苏毅伍时谦安荷·叭剌常虹金钟五陈军

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号

IPC主分类号：

H01L218249

IPC分类号：

H01L21768 H01L2706

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

张静洁;徐雯琼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	公开	公开
2015-03-25	授权	授权
2020-07-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8249 登记生效日:20200703 变更事项:专利权人变更前权利人:万国半导体股份有限公司变更后权利人:万国半导体国际有限合伙公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475号变更后权利人:加拿大安大略省
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373117948 IPC(主分类):H01L 21/8249 专利申请号:2012101388509 申请日:20120423

共 50 条

[1]

集成在超级结功率MOSFET中的肖特基二极管 [P].

苏毅 ;

马督儿·博德 .

中国专利 :CN109935634B ,2019-06-25

[2]

带有集成肖特基二极管的MOSFET [P].

高立德 ;

李亦衡 .

中国专利 :CN104253164B ,2014-12-31

[3]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

:CN117457651A ,2024-01-26

[4]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

中国专利 :CN111164762A ,2020-05-15

[5]

集成肖特基二极管的功率MOSFET元胞及MOSFET器件 [P].

江顺达 ;

刘昊 ;

周莹莹 .

中国专利 :CN118610261A ,2024-09-06

[6]

在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET [P].

邓盛凌 .

中国专利 :CN110718546A ,2020-01-21

[7]

肖特基二极管 [P].

刘彦涛 ;

孟鹤 ;

邢文超 ;

杨硕 ;

杨旭 ;

魏春雨 ;

吕飞 ;

王斌 ;

姜舫 ;

宋美丽 .

中国专利 :CN211605162U ,2020-09-29

[8]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[9]

在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法 [P].

金勤海 ;

王永成 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN102610523A ,2012-07-25

[10]

集成有肖特基二极管的功率器件 [P].

唐纳徳·迪斯尼 .

中国专利 :CN202712186U ,2013-01-30

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