肖特基二极管与MOSFET的集成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880059802.6

申请日：

2018-09-14

公开(公告)号：

CN111164762A

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里侯赛因·伊莱希帕纳阿道夫·舍纳谢尔盖·雷沙诺夫

申请人：

申请人地址：

瑞典希斯塔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

王建国;李琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180914
2020-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

:CN117457651A ,2024-01-26

[2]

带有集成肖特基二极管的MOSFET [P].

高立德 ;

李亦衡 .

中国专利 :CN104253164B ,2014-12-31

[3]

在功率MOSFET内集成肖特基二极管 [P].

苏毅 ;

伍时谦 ;

安荷·叭剌 ;

常虹 ;

金钟五 ;

陈军 .

中国专利 :CN102768994B ,2012-11-07

[4]

集成肖特基二极管的功率MOSFET元胞及MOSFET器件 [P].

江顺达 ;

刘昊 ;

周莹莹 .

中国专利 :CN118610261A ,2024-09-06

[5]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[6]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[7]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[8]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[9]

集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法 [P].

陈伟中 ;

肖宇凡 ;

周扬淇 ;

高升 ;

黄义 .

中国专利 :CN118263321A ,2024-06-28

[10]

集成在超级结功率MOSFET中的肖特基二极管 [P].

苏毅 ;

马督儿·博德 .

中国专利 :CN109935634B ,2019-06-25

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