集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410349899.1

申请日：

2024-03-26

公开(公告)号：

CN118263321A

公开(公告)日：

2024-06-28

发明(设计)人：

陈伟中肖宇凡周扬淇高升黄义

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/16

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240326
2024-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

集成肖特基二极管的SiC UMOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222721866U ,2025-04-04

[2]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

:CN117457651A ,2024-01-26

[3]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[4]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[5]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

李轩 ;

肖家木 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN109256427A ,2019-01-22

[6]

一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN120358781A ,2025-07-22

[7]

肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN217214725U ,2022-08-16

[8]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

中国专利 :CN111164762A ,2020-05-15

[9]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[10]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252B ,2025-09-19

← 1 2 3 4 5 →