一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811094810.2

申请日：

2018-09-19

公开(公告)号：

CN109256427A

公开(公告)日：

2019-01-22

发明(设计)人：

李轩肖家木邓小川张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	公开	公开
2019-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180919
2022-02-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20190122

共 50 条

[1]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN206574719U ,2017-10-20

[2]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN106784008A ,2017-05-31

[3]

集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法 [P].

陈伟中 ;

肖宇凡 ;

周扬淇 ;

高升 ;

黄义 .

中国专利 :CN118263321A ,2024-06-28

[4]

一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件 [P].

史田超 ;

乔庆楠 ;

朱继红 ;

史文华 ;

彭强 ;

吴良虎 ;

李晓东 ;

朱小飞 ;

左万胜 ;

张晓洪 .

中国专利 :CN213026139U ,2021-04-20

[5]

集成肖特基二极管的SiC UMOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222721866U ,2025-04-04

[6]

一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件 [P].

钮应喜 ;

郑柳 ;

杨霏 ;

温家良 ;

潘艳 ;

李永平 ;

王嘉铭 ;

李玲 ;

夏经华 ;

朱韫晖 .

中国专利 :CN205595339U ,2016-09-21

[7]

肖特基二极管与MOSFET的集成 [P].

尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里 ;

侯赛因·伊莱希帕纳 ;

阿道夫·舍纳 ;

谢尔盖·雷沙诺夫 .

:CN117457651A ,2024-01-26

[8]

一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件 [P].

倪炜江 ;

徐妙玲 ;

卢小东 .

中国专利 :CN206574721U ,2017-10-20

[9]

集成肖特基二极管的功率MOSFET元胞及MOSFET器件 [P].

江顺达 ;

刘昊 ;

周莹莹 .

中国专利 :CN118610261A ,2024-09-06

[10]

集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法 [P].

杜飞波 ;

胡皓然 ;

李硕 ;

侯飞 ;

高东兴 .

中国专利 :CN118763117A ,2024-10-11

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