集成肖特基二极管的SiC UMOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421473401.4

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN222721866U

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

王正杨程裘俊庆王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN217214725U ,2022-08-16

[2]

集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法 [P].

陈伟中 ;

肖宇凡 ;

周扬淇 ;

高升 ;

黄义 .

中国专利 :CN118263321A ,2024-06-28

[3]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[4]

一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 [P].

李轩 ;

肖家木 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN109256427A ,2019-01-22

[5]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[6]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213184303U ,2021-05-11

[7]

肖特基二极管 [P].

余杰 .

中国专利 :CN201877436U ,2011-06-22

[8]

肖特基二极管 [P].

刘宪成 ;

梁勇 ;

陈向东 ;

方佼 ;

李其鲁 .

中国专利 :CN203013739U ,2013-06-19

[9]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213242560U ,2021-05-18

[10]

肖特基二极管 [P].

李万 ;

黄维 ;

童薇 ;

曹浪波 ;

彭志高 .

中国专利 :CN223286133U ,2025-08-29

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