集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410349899.1

申请日：

2024-03-26

公开(公告)号：

CN118263321A

公开(公告)日：

2024-06-28

发明(设计)人：

陈伟中肖宇凡周扬淇高升黄义

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/16

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240326
2024-06-28	公开	公开

共 50 条

[41]

肖特基二极管 [P].

费拉·阿珂哈利尔 ;

理查德·普赖斯 ;

布莱恩·科布 .

英国专利 :CN120676651A ,2025-09-19

[42]

肖特基二极管 [P].

孔明 .

中国专利 :CN103035586A ,2013-04-10

[43]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[44]

肖特基二极管 [P].

马奕俊 .

中国专利 :CN207458951U ,2018-06-05

[45]

肖特基二极管 [P].

A·伊万 ;

D·阿尔奎尔 ;

Y·科尔迪耶 .

中国专利 :CN204516775U ,2015-07-29

[46]

肖特基二极管 [P].

斯特凡·斯塔罗韦茨基 ;

奥尔加·克雷姆帕斯卡 ;

马丁·普雷德梅尔斯基 .

中国专利 :CN202549849U ,2012-11-21

[47]

肖特基二极管 [P].

郭广兴 ;

刘宪成 ;

梁厅 ;

丁伯继 .

中国专利 :CN203631566U ,2014-06-04

[48]

肖特基二极管 [P].

费拉·阿珂哈利尔 ;

理查德·普赖斯 ;

布莱恩·科布 .

英国专利 :CN111699561B ,2025-07-18

[49]

肖特基二极管 [P].

王飞 .

中国专利 :CN103035751A ,2013-04-10

[50]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN203351612U ,2013-12-18

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