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集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410349899.1
申请日：
2024-03-26
公开(公告)号：
CN118263321A
公开(公告)日：
2024-06-28
发明(设计)人：
陈伟中
肖宇凡
周扬淇
高升
黄义
申请人：
重庆邮电大学
申请人地址：
400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/16
代理机构：
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
代理人：
方钟苑
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省
青岛市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240326 |
| 2024-06-28 | 公开 | 公开 |